Visão geral do diodo retificador de alta tensão HVR05

O diodo de alta tensão de carboneto de silício (SiC) HPT1700S é um dispositivo semicondutor de potência de próxima-geração projetado para aplicações de conversão de energia de alta tensão e alta frequência.

Baseado na avançada tecnologia de semicondutores de banda larga SiC, o HPT1700S oferece desempenho de comutação superior em comparação com diodos retificadores de silício convencionais.

Com:

* Tensão reversa de pico repetitivo de 1700V (VRRM)
* Corrente direta média de 10A (IF(AV))
* Capacidade de corrente de surto de 100A (IFSM)
* Baixa corrente de fuga reversa menor ou igual a 5μA
* Pacote de potência TO220-2L

O HPT1700S oferece excelente eficiência, estabilidade térmica e confiabilidade para aplicações exigentes de eletrônica de potência.

Os diodos de potência SiC são amplamente reconhecidos por baixas perdas de comutação, capacidade de alta-frequência e maior eficiência do sistema em comparação com dispositivos de silício tradicionais.

Recursos do produto

1. 1700Capacidade de bloqueio de alta tensão V

HPT1700S fornece: VRRM=1700V
A classificação de alta tensão o torna adequado para:

* Sistemas de link CC de alta tensão
* Conversores industriais
* Sistemas de energia de energia renovável
* Aplicações de comutação de alta tensão

2. 10Uma capacidade de alta corrente
Corrente direta média nominal: IF(AV)=10A
Adequado para aplicações de conversão contínua de energia que exigem:

* Alta eficiência
* Condução de corrente estável
*Design compacto

3. Vantagens da tecnologia SiC
Comparada com os diodos de silício convencionais, a tecnologia SiC oferece:
✔ Menor perda de comutação
✔ Maior frequência operacional
✔ Melhor desempenho térmico
✔ Capacidade de tensão mais alta
✔ Melhor densidade de potência do sistema

Os diodos SiC são comumente usados em conversores-de alta frequência, circuitos PFC, inversores e sistemas de energia industriais.

4. Alta capacidade de corrente de surto

Corrente máxima de surto:
IFSM=100A
A forte resistência a surtos melhora a confiabilidade durante:

* Inicialização de energia
* Comutação de carga
* Carregamento de capacitor
* Condições de sobrecarga transitória

5. Baixa corrente de fuga reversa
Corrente de fuga reversa:
IR menor ou igual a 5μA (Ta=25 grau)

Benefícios:

* Perda de energia em espera reduzida
* Melhor eficiência do sistema
*Maior confiabilidade

Especificações elétricas do HPT1700S

Parâmetro	Símbolo	Valor
Tipo de produto		Diodo de alta tensão SiC
Material semicondutor		Carboneto de Silício (SiC)
Tensão reversa de pico repetitivo	VRRM	1700V
Corrente direta média	SE(AV)	10A
Corrente máxima de surto	IFSM	100A
Tensão direta de pico	FMV	3 V máx.
Corrente de fuga reversa	RI	Menor ou igual a 5μA
Tempo de recuperação reversa	Trr	-
Pacote		TO220-2L

Estrutura do Produto

Projeto avançado de semicondutores de potência de carboneto de silício

HPT1700S usa tecnologia de material SiC apresentando:

* Ampla estrutura de semicondutores bandgap
* Alta capacidade de tensão de ruptura
* Características de troca rápida
* Excelente estabilidade térmica

O dispositivo é otimizado para aplicações onde os diodos de silício tradicionais sofrem de:

* Alta perda de comutação
* Geração excessiva de calor
* Desempenho de frequência limitado

Informações do pacote

Pacote de potência TO220-2L

Pacote:

TO220-2L

Vantagens:

* Fácil montagem do dissipador de calor
* Excelente gerenciamento térmico
* Instalação compacta
* Adequado para projetos de alta densidade de potência

Descrição dos produtos

Fonte de alimentação industrial de alta tensão

HPT1700S é adequado para:

* Fontes de alimentação de comutação industrial
* Sistemas de energia DC de alta tensão
* Equipamento de conversão de energia
* Sistemas de energia de bateria

Sistemas de carregamento de veículos elétricos

Aplicações:

* Módulos de potência do carregador rápido EV
* Sistemas de carregamento DC
* Conversores de alta eficiência

Sistemas de Energia Renovável

Usado em:

* Sistemas de inversores solares
* Conversores de armazenamento de energia
* Conversão DC de alta tensão

Equipamento de energia de alta frequência

Aplicações:

* Conversores de alta frequência
* Fontes de alimentação a laser
* Sistemas de energia médica
* Equipamento de energia de pulso

Vantagens do HPT1700S

Recurso	Beneficiar
Classificação de tensão de 1700V	Compatibilidade do sistema de alta tensão
Capacidade atual 10A	Forte manuseio de energia
Tecnologia SiC	Menor perda de comutação
Corrente de surto 100A	Confiabilidade aprimorada
Baixa corrente de fuga	Maior eficiência
Pacote TO220	Design térmico fácil

Família de diodos de alta tensão SiC série HPTS

Modelo	VRRM	SE(AV)	IFSM	FMV	Pacote
HPT1700S	1700V	10A	100A	3V	TO220-2L
HPT2200S	2200V	10A	100A	4V	TO220-2L

Capacidade de fornecimento do fabricante

Nós fornecemos:

✔ Fabricação de diodo de alta tensão SiC
✔ Soluções de semicondutores de potência de carboneto de silício
✔ Personalização OEM / ODM
✔ Fornecimento industrial a granel
✔ Componentes semicondutores de alta confiabilidade

Opções de personalização:

* Personalização da classificação de tensão
* Personalização da classificação atual
* Personalização do pacote
* Otimização de parâmetros elétricos

Perguntas frequentes

P: O que é HPT1700S?

R: HPT1700S é um diodo de alta tensão de carboneto de silício 1700V 10A projetado para conversão de energia de alta eficiência e aplicações de comutação de alta frequência.

P: Quais são as vantagens do diodo SiC HPT1700S?

R: O HPT1700S oferece menores perdas de comutação, capacidade de alta tensão, alta resistência à corrente de surto e excelente estabilidade térmica em comparação com os diodos de silício tradicionais.

P: Onde o HPT1700S é usado?

R: É usado em carregadores EV, inversores solares, fontes de alimentação industriais, conversores de alta frequência e sistemas DC de alta tensão.

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