Diodo de barreira SIC Schottky

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Diodo de barreira SIC Schottky
Detalhes
Diodo de barreira Schottky de carboneto de silício-de alta eficiência para sistemas de energia industriais
Diodo Schottky de carboneto de silício (SiC) projetado para aplicações exigentes de conversão de energia de alta-tensão. Utilizando tecnologia avançada de SiC, este dispositivo oferece desempenho de comutação ultra{2}}rápido, corrente de recuperação reversa praticamente zero, baixas perdas de comutação e estabilidade térmica excepcional, tornando-o uma escolha ideal para eletrônicos de potência da próxima-geração.
Classificação de produto
Retificadores de barreira SIC Schottky
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Descrição

Visão geral

 

Diodo Schottky de carboneto de silício (SiC) projetado para aplicações exigentes de conversão de energia de alta-tensão. Utilizando tecnologia avançada de SiC, este dispositivo oferece desempenho de comutação ultra{2}}rápido, corrente de recuperação reversa praticamente zero, baixas perdas de comutação e estabilidade térmica excepcional, tornando-o uma escolha ideal para eletrônicos de potência da próxima-geração.

Comparados com os diodos convencionais de recuperação rápida de silício, os diodos SiC Schottky oferecem eficiência significativamente maior, geração de calor reduzida, confiabilidade aprimorada e temperaturas operacionais mais altas. Essas vantagens tornam o RTSD10170 adequado para inversores industriais, sistemas de energia renovável, infraestrutura de carregamento de veículos elétricos e fontes de alimentação comutadas de alta-frequência.

 

Principais recursos

1. Projetado para aplicações de alta-tensão que exigem capacidade robusta de resistência à tensão, garantindo operação confiável em ambientes industriais exigentes.

2. Suporta manuseio de corrente contínua de até 10A com excelente desempenho térmico.

3. Corrente de recuperação reversa zero, reduzindo perdas de comutação e interferência eletromagnética (EMI).

4. A tecnologia SiC Schottky permite características de comutação-independentes de temperatura, tornando-a ideal para conversores de-alta frequência e fontes de alimentação.

5. Baixa queda de tensão direta, minimizando as perdas de condução e melhorando a eficiência geral do sistema.

 

6. Capacidade de alta temperatura
* Temperatura máxima de junção (Tj): 175 graus
* Faixa de temperatura de armazenamento: -40 graus a +175 graus
A condutividade térmica superior do carboneto de silício permite uma operação estável sob condições adversas.

7. Baixa corrente de fuga, garantindo alta eficiência mesmo sob temperaturas elevadas.

8. Coeficiente de temperatura positivo, melhorando a escalabilidade e a confiabilidade do sistema.

 

Características Elétricas

 

Tipo Não.

Tensão reversa de pico repetitivo

Média atual máxima atual

Corrente máxima de surto

Queda de tensão direta de pico

CC reversa
atual

Tempo de recuperação reversa

Dimensão

VRRM

IF(AV)

IFSM

VFM

IF(AV)

TA=25grau

Trr

V

A

A

V

A

vocêA

nS

R2000-R3000

2000-3000

0.2

30

3

0.2

5

--

DO-41

R4000-R5000

4000-5000

0.2

30

5

0.2

5

--

DO-15

R2500F-R3000F

2500-3000

0.2

30

5

0.2

5

500

DO-41

R4000-R5000F

4000-5000

0.2

30

6.5

0.2

5

500

DO-15

RL201-RL207

50-1000

2

70

1.1

2

5

--

10A05-10A10

50-1000

10

400

1

10

10

--

DO-27

10SQ030-10SQ100

30-100

10

275

0.55-0.8

10

0.1

--

R-6

12SQ030-12SQ100

30-100

12

275

0.55-0.8

12

0.1

--

15SQ030-15SQ100

30-100

15

275

0.55-0.8

15

0.1

--

20SQ030-20SQ100

30-100

20

275

0.55-0.8

20

0.5

--

GF3045

45

30

400

0.55

30

0.3

--

JK09E

GF4045

45

40

400

0.5

40

0.3

--

GF5045

45

50

400

0.5

50

0.3

--

GF6045

45

60

400

0.55

60

0.3

--

 

Vantagens da tecnologia SiC Schottky

Maior eficiência do sistema
A ausência de perdas de recuperação reversa melhora drasticamente a eficiência do conversor, especialmente em projetos de{0}alta frequência.

 

Requisitos de resfriamento reduzidos
Perdas de comutação mais baixas resultam em dissipação de calor reduzida, permitindo dissipadores de calor menores e custos de sistema mais baixos.

Frequências de comutação mais altas
Suporta maior frequência de comutação, permitindo que os projetistas reduzam o tamanho dos componentes magnéticos, capacitores e filtros.

 

Confiabilidade aprimorada
O material SiC de banda larga fornece:

* Maior força do campo de ruptura
* Melhor condutividade térmica
* Melhor capacidade de surto
* Vida útil prolongada

 

Aplicações Típicas

Inversores solares

Retificação{0}}de alta eficiência e aplicações de roda livre em sistemas de conversão de energia fotovoltaica.

Estações de carregamento de veículos elétricos

Ideal para carregamento-rápido de módulos de energia que exigem alta eficiência e capacidade de alta-tensão.

Acionamentos de motores industriais

Fornece operação confiável em inversores de frequência-variáveis ​​e sistemas servo.

Correção do Fator de Potência (PFC)

Excelente desempenho de diodo de reforço em circuitos PFC de alta-potência.

Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)

Melhora a eficiência de conversão e reduz o estresse térmico em sistemas UPS.

Fontes de alimentação comutadas de-alta frequência

Adequado para aplicações de telecomunicações, automação industrial e energia de servidores que exigem alta densidade de potência.

 

A série RTSD oferece múltiplas classificações de tensão e corrente para atender a diversos requisitos de aplicação:

A série abrange aplicações de ultra-alta-tensão, que vão desde a conversão de energia industrial até energia renovável e equipamentos de energia de alta-tensão.

 

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